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Bonne lecture à tous !
FERRIER Aubry
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Depuis 5 mois, IBM test dans son laboratoire situé à Zurich en Suisse, une mémoire non-volatile jusqu'à 100 fois plus rapide que les mémoires flash de 2011.
Pour la petite histoire, elles seront commercialisées en 2016...
La technologie utilisé est PCM (phase change memory), l'ensemble est gravée en 90nm et permet de stocker jusqu'à 4 bits par cellule.
Les avantages d'une telle technologie ? Des économies d'énergie, une durée de vie allongée (10M de cycles d'écriture) et une rapidité sans égale pour le moment...
L'utilisation? Etant 100 fois plus rapide que les cartes "Compact Flash" ou les disques SSD elles seront dans nos futurs compagnons électroniques (Smartphones, tablettes, ordinateurs, serveurs...).
Il ne nous reste plus qu'à espérer que cette technologie sera dans nos appareils avant 2016!!
Autre projet mais cette fois de SanDisk : http://www.futura-sciences.com/fr/news/t/informatique/d/memoire-flash-x4-avec-4-bits-par-cellule-sandisk-etablit-un-record_18250/
Certain, se contentent de doubler les vitesses ou tripler ou... mais alors la multiplier par 100! Ils font fort chez IBM chapeau bas!!!
Vivement que ça arrive sur nos téléphones!! Merci pour l'info c'est super
0 votre service!! Revenez nous voir!